| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 150 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
| 最小电流放大倍数 | 200 @100mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 5 A 150MHz 1 W 通孔 TP
ON Semiconductor（安森美）
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Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Yangzhou Yangjie Electronic
ON Semiconductor（安森美）
通用 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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