集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 220mV/0.22V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · relay drivers, high speed inverters,converters,and other general high current switching application. Features
● high current and high fT
● fast switch time
● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
● good linearity of hFE 描述与应用| PNP/ NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 ·适合于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用。 特点
●高电流，高FT
●快速开关时间
●低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）
●良好的线性HFE
Sanyo Semiconductor（三洋）
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ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, (â)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, (â)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
ON Semiconductor（安森美）
PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor（安森美）
2SD1803: 双极晶体管，(-)50V，(-)5A, 低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA
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