| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 10 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @1A, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 1000 |
| 额定功率(Max) | 10 W |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 80 MHz |
| 耗散功率(Max) | 10 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 100v \---|--- 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 2A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 1000~10000 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5v 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 Description & Applications | 功率晶体管。 特性 1)达林顿连接直流电流增益高。 2)内置基地和发射极之间的电阻。 3)内置阻尼二极管。 4)补充2 sb1580 / 2 sb1316 / 2 sb1567。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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ROHM 2SD1980TL 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 MHz, 1 W, 1 A, 1000 hFE
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