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2SD2012
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2SD2012 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  2SD2012  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 20 hFE
PDF文件:2SD2012 数据手册 (5 页)原理图在1 页
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2SD2012 数据手册 (5 页)
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2SD2012 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率25 W
针脚数3 Position
极性NPN
功耗25 W
增益频宽积3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)60 V
最小电流放大倍数100 @500mA, 5V
最大电流放大倍数320
额定功率(Max)25 W
直流电流增益(hFE)20
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)25000 mW
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2SD2012 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.9 mm
高度9.39 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2SD2012 数据手册

2SD2012 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.12 MByte
2SD2012 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.12 MByte
2SD2012 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.01 MByte
2SD2012 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
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