| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 350 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SC-59-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 功耗 | 200 mW |
| 增益频宽积 | 350 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 820 @10mA, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 2700 |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 820 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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高电流增益中等功率晶体管（ 20V ， 0.5A ） High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN 小信号晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
*高直流电流增益。HFE=1200*高发射基地电压。VEBO=12V（最小值）*低VCE（SAT）。VCE（饱和）=0.18V（IC/ IB=500mA/20毫安的）结构外延平面型NPN硅transisto的
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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*高直流电流增益。HFE=1200*高发射基地电压。VEBO=12V（最小值）*低VCE（SAT）。VCE（饱和）=0.18V（IC/ IB=500mA/20毫安的）结构外延平面型NPN硅transisto的
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