类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 3.00 A |
封装 | SOT-89 |
极性 | N-Channel, NPN |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 290MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | applications Low Frequency Transistor Features
● Low VCE(sat).
● VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A)
● Excellent current gain characteristics.
● Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 应用 低频晶体管 特点
●低VCE(SAT)。
● VCE(饱和)=0.2V (IC / IB=2A/0.1A)
●优秀的电流增益特性。
●外延平面型硅NPN晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD2150 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低频 晶体管 -SC-62
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
低频晶体管( 20V , 3A ) Low Frequency Transistor (20V, 3A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
应用低频晶体管特点*低VCE(SAT)。* VCE(饱和)=0.2V(IC / IB=2A/0.1A)*优秀的电流增益特性。*外延平面型硅NPN晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
应用低频晶体管特点*低VCE(SAT)。* VCE(饱和)=0.2V(IC / IB=2A/0.1A)*优秀的电流增益特性。*外延平面型硅NPN晶体管
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