| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-243 |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 功耗 | 0.5 W |
| 增益频宽积 | 290 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 180 @100mA, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 560 |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.5 mm |
| 宽度 | 2.5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 20 V 3 A 290MHz 500 mW 表面贴装型 MPT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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2SD2150 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低频 晶体管 -SC-62
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
低频晶体管（ 20V ， 3A ） Low Frequency Transistor (20V, 3A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
应用低频晶体管特点*低VCE（SAT）。* VCE（饱和）=0.2V（IC / IB=2A/0.1A）*优秀的电流增益特性。*外延平面型硅NPN晶体管
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