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2SD2211T100R
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2SD2211T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:双极性晶体管
封装:MPT-3
描述:NPN,1.5A,160V三极管
PDF文件:2SD2211T100R 数据手册 (1 页)封装尺寸在1 页
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2SD2211T100R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)160 V
额定电流1.50 A
封装MPT-3
额定功率2 W
极性NPN
击穿电压(集电极-发射极)160 V
集电极最大允许电流1.5A
最小电流放大倍数180 @100mA, 5V
额定功率(Max)2 W
耗散功率(Max)2 W
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2SD2211T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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2SD2211T100R 数据手册

2SD2211T100R 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
功率晶体管（160V，1.5A）特点1）高的击穿电压（BVCEO=160V）。2）低集电极输出电容。   （典型值20pF的VCB=10V）3）高转换频率（FT =80MHZ）。4）补充2SB1275/2SB1236A的。
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