2SD2318 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 560 ~1800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| High-current gain Power Transistor(60V, 3A) Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A) 3) Complements the 2SB1639. 描述与应用| 高电流增益功率晶体管（60V，3A） 特点 1）高DC电流增益。 2）低饱和电压。   （VCE（sat）的典型值= 0.5V IC / IB=2A/0.5A） 3）补充2SB1639。