类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 150 mA |
封装 | SOT-323 |
极性 | NPN |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 820~2700 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 描述与应用 | 通用晶体管(50V,0.15A) 特点 1)高DC电流增益。 2)高发射基地电压。 (VCBO12V) 3)低饱和电压。 (典型值VCE(sat)=0.3V IC / IB=50mA/5mA)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SD2351T106W 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SD2351T106V 单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
通用晶体管(50V,0.15A)特点1)高DC电流增益。2)高发射基地电压。 (VCBO12V)3)低饱和电压。(典型值VCE(sat)=0.3V IC / IB=50mA/5mA)
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