类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-89 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 130MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 160~320 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage • Complementary transistor with 2SB1572 描述与应用 | NPN硅外延晶体管低频功率放大器和中速切换 特点 •高电流电容 •低集电极饱和电压 •互补晶体管2SB1572
NEC(日本电气)
6 页 / 0.14 MByte
NEC(日本电气)
6 页 / 0.13 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件