| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 270 |
| 最大电流放大倍数 | 680 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 140mV/0.14V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| General purpose amplification (30V, 1A) Application Low frequency amplifier Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) ≤ 350mV At IC = 500mA / IB = 25mA 描述与应用| 通用放大（30V，1A） 应用 低频放大器特点 1）集电极电流是很大的。 2）集电极饱和电压低。 VCE（sat）≤350mV 在IC =500毫安/ IB=25毫安的时候
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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