| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.3A |
| 最小电流放大倍数 | 820 |
| 最大电流放大倍数 | 2700 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 35MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 820~2700 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 50mV 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| For Muting (20V,0.3A) High DC current gain: hFE = 820 to 2700； High emitter-base voltage.Vebo=25V（min）； low R on，R on=0.7Ω 描述与应用| 静音（20V，0.3A） 高直流电流增益：HFE= 820〜2700; 高发射基地voltage.Vebo= 25V（min）; 低R，R=0.7Ω
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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2SD2704K NPN三极管 50V 300mA/0.3A 35MHz 820~2700 50mV SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 XL
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