类型 | 描述 |
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封装 | SC-59 |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.2A |
耗散功率(Max) | 200mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -200mA/-0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.3Ω @-50mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -2--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITHCING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS INTERFACE APPLICATIONS Excellent Switching Time High Forward Transfer Admittance Low On Resistance Enhancement-Mode Complementary to 2SK1062 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间 高正向转移导纳 低导通电阻 增强型 对管是2SK1062
Toshiba(东芝)
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