最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -3.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.45--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 44 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.0 A) RDS(on)2 = 56 mΩ MAX. (VGS = –3.0 V, ID = –2.0 A) RDS(on)3 = 62 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.0 A) RDS(on)4 = 105 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A) 描述与应用| •1.8 V可驱动 •低通态电阻 的RDS(on)1 =44mΩ最大。 (VGS= -4.5 V,ID= -2.0) 的RDS(on)=56mΩ最大。 (VGS=-3.0 V,ID= -2.0ấ) 的RDS(on)=62mΩ最大。 (VGS= -2.5 V,ID= -2.0ấ) 的RDS(on)= 105mΩ最大。 (VGS=-1.8 V,ID=-1.5“)
NEC(日本电气)
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