2SK1112 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.12Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications 描述与应用| 特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速，高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用