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2SK1119(F)
来自 AiPCBA

2SK1119(F) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:TOSHIBA  2SK1119(F)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:2SK1119(F) 数据手册 (5 页)
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2SK1119(F) 数据手册 (5 页)
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2SK1119(F) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率100 W
针脚数3 Position
漏源极电阻3 Ω
极性N-Channel
功耗100 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)100 W
耗散功率(Max)100W (Tc)
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2SK1119(F) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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2SK1119(F) 数据手册

2SK1119(F) 数据手册
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.24 MByte
2SK1119(F) 产品设计参考手册
Toshiba（东芝）
63 页 / 1.58 MByte
2SK1119(F) 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
20 页 / 2.6 MByte

2SK1119 数据手册

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