| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.05A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 27Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching application High-speed switching Wide frequency band Incorporating a built-in gate protection-diode Allowing 2.5V drive 描述与应用| 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关应用 高速开关 宽频带 集成了内置栅极保护二极管 允许2.5V驱动
Panasonic（松下）
2 页 / 0.03 MByte
Panasonic（松下）
2 页 / 0.03 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
