类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-323 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 50 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.05A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 27Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N Channel MOS FET High-speed switching Wide frequency band Incorporating a built-in gate protection-diode Allowing 2.5V drive 描述与应用| 硅MOS场效应管(小信号) 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 宽频带 集成了内置栅极保护二极管 允许2.5V驱动
Panasonic(松下)
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