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2SK1518-E
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2SK1518-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
PDF文件:2SK1518-E 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
2SK1518-E 数据手册 (9 页)
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2SK1518-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
额定功率120 W
极性N-CH
功耗120 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间130 ns
输入电容值(Ciss)3050pF @10V(Vds)
下降时间105 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)120W (Tc)
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2SK1518-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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2SK1518-E 数据手册

2SK1518-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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