最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 50v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -50v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 0.6~1.4ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -0.4~-5v 耗散功率PdPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| •Silicon N-Channel Junction FET High Breakdown Voltage : Vgds = -50V High Input Impedance :Igss = -1.0nA(Max.) (Vgs = -30V ) Low Noise : NF=0.5dB(Typ.) (Rg=100kΩ , f=120Hz) Small Package. 描述与应用| •硅N沟道结型场效应管 高击穿电压：Vgds=-50V 高输入阻抗：IGSS=1.0nA（最大）（VGS =-30V） 低噪音：NF=0.5分贝（典型值） （RG=100KΩ，F =120Hz的） 小包装。
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JFET场效应管 2SK208-GR(TE85L,F) SOT-23
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N-channel JFET, Toshiba### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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2SK208-Y N沟道结型场效应管 50v 1.2~3mA SOT-23 marking/标记 JY 低噪声0.5dB
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2SK208-O N沟道结型场效应管 50v 0.6~1.4mA SOT-23 marking/标记 JO 低噪声0.5dB
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2SK208-R N沟道结型场效应管 50v 0.3~0.75mA SOT-23 marking/标记 JR 低噪声0.5dB
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2SK208-GR N沟道结型场效应管 50v 2.6~6.5mA SOT-23 marking/标记 JG
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