2SK209-BL 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:	Toshiba（东芝）
封装:	S-Mini
描述:	2SK209-BL N沟道结型场效应管 50v 6~14mA SOT-23 marking/标记 XL radio 频率低噪声放大
PDF文件:	2SK209-BL 数据手册 (4 页)
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2SK209-BL 技术参数、封装参数

类型	描述
材质	Silicon

Toshiba（东芝）

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Toshiba（东芝）

Toshiba（东芝）

N沟道,10V,0.014A,150mW

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N-channel JFET, Toshiba### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

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2SK209-Y N沟道结型场效应管 50v 1.2~3mA SOT-23 marking/标记 XY radio 频率低噪声放大

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