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2SK209GR
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2SK209GR 数据手册
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2SK209GR 技术参数、封装参数

2SK209 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
N沟道,10V,0.014A,150mW
Toshiba(东芝)
N-channel JFET, Toshiba### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Toshiba(东芝)
2SK209-BL N沟道结型场效应管 50v 6~14mA SOT-23 marking/标记 XL radio 频率低噪声放大
FUJI(富士电机)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
小开关( 60V , 2A ) Small switching (60V, 2A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
小开关 Small Switching
Toshiba(东芝)
2SK209-Y N沟道结型场效应管 50v 1.2~3mA SOT-23 marking/标记 XY radio 频率低噪声放大
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