| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.35Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching Low ON-resistance RDS(ON) High-speed switching Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing 描述与应用| 硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 低导通电阻RDS（ON） 高速开关 小功率型封装，允许瘦身套 通过自动插入磁带/盒包装
Panasonic（松下）
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