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2SK2221-E
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2SK2221-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
PDF文件:2SK2221-E 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2SK2221-E 数据手册 (8 页)
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2SK2221-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流8.00 A
封装TO-3-3
极性N-CH
功耗100 W
输入电容600 pF
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
输入电容值(Ciss)600pF @10V(Vds)
额定功率(Max)100 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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2SK2221-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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2SK2221-E 数据手册

2SK2221-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
8 页 / 0.08 MByte
2SK2221-E 其他数据使用手册
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