类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 5.00 A |
封装 | PW-Mold-3 |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
上升时间 | 18.0 ns |
耗散功率(Max) | 20W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 5.5 mm |
高度 | 2.3 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.12Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L 2−π−MOSV) Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement−mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型(L 2-π-MOSV) 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型
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