最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -20v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 0.2~0.45ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -0.1~-1v 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| •JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA) 描述与应用| •结型场效应晶体管 •N沟道硅结型场效应晶体管 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA）
NEC（日本电气）
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