类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SOT-323 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 8 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 mW |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 100 mA |
上升时间 | 35 ns |
输入电容值(Ciss) | 13pF @5V(Vds) |
额定功率(Max) | 200 mW |
下降时间 | 80 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 200mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not For New Designs |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 100mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SK3018 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
Micro Commercial Components(美微科)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
MOS场效应管 2SK3018 T106 SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2SK3018 KN SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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