类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 13 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 mW |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 100 mA |
上升时间 | 35 ns |
输入电容值(Ciss) | 13pF @5V(Vds) |
额定功率(Max) | 150 mW |
下降时间 | 80 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 1.6 mm |
宽度 | 0.8 mm |
高度 | 0.7 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
Micro Commercial Components(美微科)
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2SK3019 KN SC-89(SOT-523) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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