2SK3105 数据手册 - NEC（日本电气）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.056Ω/Ohm @1.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Can be driven by a 4 V power source Low on-state resistance 描述与应用| MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 可以由一个4 V电源驱动 低通态电阻