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2SK3565(Q,M)
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2SK3565(Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:2SK3565(Q,M) 数据手册 (6 页)
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2SK3565(Q,M) 数据手册 (6 页)
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2SK3565(Q,M) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
额定功率45 W
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗45W (Tc)
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
连续漏极电流(Ids)5A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)1150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)45 W
下降时间60 ns
耗散功率(Max)45W (Tc)
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2SK3565(Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.5 mm
高度15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2SK3565(Q,M) 数据手册

2SK3565(Q,M) 数据手册
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6 页 / 0.22 MByte
2SK3565(Q,M) 产品设计参考手册
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2SK3565(Q,M) 其他数据使用手册
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2SK3565(Q,M) 其他参考文件
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