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2SK3878(F)
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2SK3878(F) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:中高压MOS管
封装:TO-3
描述:TOSHIBA  2SK3878(F)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V
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2SK3878(F) 数据手册 (6 页)
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2SK3878(F) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.3 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
输入电容值(Ciss)2200pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 W
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2SK3878(F) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Bulk
长度15.9 mm
宽度4.8 mm
高度19 mm
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2SK3878(F) 数据手册

2SK3878(F) 数据手册
Toshiba（东芝）
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