Datasheet 搜索 > Toshiba（东芝） > 2SK3878(F,T) Datasheet 文档
2SK3878(F,T)
来自 AiPCBA

2SK3878(F,T) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
封装:TO-3-3
PDF文件:2SK3878(F,T) 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2SK3878(F,T) 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2SK3878(F,T) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-3-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1 Ω
极性N-CH
功耗150 W
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间25 ns
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
查看数据手册 >

2SK3878(F,T) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度15.5 mm
宽度4.5 mm
高度20 mm
查看数据手册 >

2SK3878(F,T) 数据手册

2SK3878(F,T) 数据手册
Toshiba（东芝）
7 页 / 0.21 MByte
2SK3878(F,T) 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
7 页 / 0.43 MByte

2SK3878 数据手册

2SK3878 数据手册
Toshiba（东芝）
MOS(场效应管)/2SK3878 停产 管装
2SK3878(F) 数据手册
Toshiba（东芝）
TOSHIBA  2SK3878(F)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V
2SK3878(STA1,E,S) 数据手册
Toshiba（东芝）
N沟道 900V 9A
2SK3878(F,T) 数据手册
Toshiba（东芝）
2SK3878(F.T) 数据手册
Toshiba（东芝）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet