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2SK975TZ-E
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2SK975TZ-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:TO-92
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
PDF文件:2SK975TZ-E 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
2SK975TZ-E 数据手册 (7 页)
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2SK975TZ-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-92
功耗0.9 W
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)140pF @10V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900 mW
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2SK975TZ-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
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2SK975TZ-E 数据手册

2SK975TZ-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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