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2STC4467
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2STC4467 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3-3
描述:高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
PDF文件:2STC4467 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
2STC4467 数据手册 (8 页)
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2STC4467 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率20 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
极性NPN
功耗80000 mW
增益频宽积20 MHz
击穿电压(集电极-发射极)120 V
集电极最大允许电流8A
最小电流放大倍数70 @3A, 4V
最大电流放大倍数70
额定功率(Max)80 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)80000 mW
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2STC4467 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度5 mm
高度15.1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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2STC4467 数据手册

2STC4467 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.14 MByte
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