最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 7.8Ω/Ohm @50mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-channel Silicon MOSFET General -Purpose Switching Device Application Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. 描述与应用| N沟道硅MOSFET 通用开关设备应用程序 •低导通电阻 •超高速开关 •2.5V驱动器
Sanyo Semiconductor（三洋）
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ON Semiconductor（安森美）
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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N 通道功率 MOSFET，50V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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5LN01C N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 YB 低导通电阻/超高速开关
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