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A1P35S12M3

来自 AiPCBA

A1P35S12M3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	ACEPACK-1
描述:	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

A1P35S12M3 数据手册

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A1P35S12M3 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	15 Pin
封装	ACEPACK-1
功耗	250 W
击穿电压(集电极-发射极)	1200 V
输入电容值(Cies)	2154pF @25V
额定功率(Max)	250 W
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	250000 mW

A1P35S12M3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tray
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

A1P35S12M3 符合标准

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