| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 23 Pin |
| 封装 | Module |
| 功耗 | 250 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 2154pF @25V |
| 额定功率(Max) | 250 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器，带制动器 1200 V 35 A 250 W 底座安装 ACEPACK™ 2
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module
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