类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电流 | 10.0 mA |
容差 | ±0.04 % |
封装 | SOIC-8 |
输入电压(DC) | 4.50V ~ 18.0V |
输出电压 | 2.5 V |
输出电流 | 10 mA |
供电电流 | 600 μA |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
输入电压(Max) | 18 V |
输出电压(Max) | 2.5 V |
输出电压(Min) | 2.5 V |
输出电流(Max) | 10 mA |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
输入电压 | 4.5V ~ 18V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TA) |
温度系数 | ±3 ppm/℃ |
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超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
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ANALOG DEVICES ADR421ARZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8
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超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
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ANALOG DEVICES ADR421ARMZ 电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, MSOP-8
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2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
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超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
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2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
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