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AFGB30T65SQDN
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AFGB30T65SQDN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-263-3
描述:AFGB30T65SQDN: IGBT 650V FS4 高速版，适用于 OBC 应用，D2PAK 封装
PDF文件:AFGB30T65SQDN 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

AFGB30T65SQDN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
击穿电压(集电极-发射极)650 V
反向恢复时间245 ns
额定功率(Max)220 W
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AFGB30T65SQDN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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AFGB30T65SQDN 数据手册

AFGB30T65SQDN 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.27 MByte

AFGB30T65 数据手册

AFGB30T65SQDN 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
AFGB30T65SQDN: IGBT 650V FS4 高速版，适用于 OBC 应用，D2PAK 封装
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