类型 | 描述 |
---|
频率 | 870 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | PLD-1 |
针脚数 | 2 Position |
功耗 | 125 W |
输出功率 | 16 W |
增益 | 17.2 dB |
测试电流 | 100 mA |
输入电容值(Ciss) | 74pF @12.5V(Vds) |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
额定电压 | 40 V |
电源电压 | 12.5 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
NXP(恩智浦)
21 页 / 0.86 MByte
NXP(恩智浦)
30 页 / 0.29 MByte
NXP(恩智浦)
28 页 / 1.38 MByte
NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Freescale(飞思卡尔)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件