| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 870 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PLD-1 |
| 针脚数 | 2 Position |
| 功耗 | 125 W |
| 输出功率 | 16 W |
| 增益 | 17.2 dB |
| 测试电流 | 100 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 74pF @12.5V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 额定电压 | 40 V |
| 电源电压 | 12.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
28 页 / 1.38 MByte
NXP（恩智浦）
晶体管, 射频FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Freescale（飞思卡尔）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V
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