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AOU3N60
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AOU3N60 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

制造商:Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:600V,2.5A,N沟道MOSFET
PDF文件:AOU3N60 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
AOU3N60 数据手册 (6 页)
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AOU3N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-251-3
极性N-CH
功耗56.8 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.5A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)370pF @25V(Vds)
额定功率(Max)56.8 W
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
耗散功率(Max)56.8W (Tc)
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AOU3N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
工作温度-50℃ ~ 150℃ (TJ)
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AOU3N60 数据手册

AOU3N60 数据手册
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
6 页 / 0.26 MByte
AOU3N60 其他数据使用手册
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6 页 / 0.27 MByte
AOU3N60 产品设计图
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
1 页 / 0.17 MByte

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