最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12 最大漏极电流Id Drain Current| 6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.040Ω/Ohm @5A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| 20V/6A , RDS(ON)=25mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=32mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=40mΩ(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOT-23 Package 描述与应用| RDS(ON)=25mΩ的(典型值)@ VGS= 10V RDS(ON)=32MΩ(典型值)@ VGS= 4.5V RDS(ON)=40MΩ(典型值)@ VGS= 2.5V 超级高密度电池设计极 低RDS(ON) 可靠耐用 SOT-23封装
Anpec(茂达)
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APM2300AAC N沟道MOSFET 20V 6A TO-252/D-PAK marking/标记 高密度电池设计/铅
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