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来自 AiPCBA
APT1001R1BN 数据手册 - Microsemi(美高森美)
制造商:
Microsemi(美高森美)
封装:
TO-247
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
APT1001R1BN 数据手册
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APT1001R1BN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
极性
N-CH
功耗
310 W
漏源极电压(Vds)
1000 V
连续漏极电流(Ids)
10.5A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
2460pF @25V(Vds)
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)
APT1001R1BN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
APT1001R1BN 符合标准
APT1001R1 数据手册
APT1001R1
DN
数据手册
Advanced Power Technology
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示例:
STM32F103
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