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APT150GN120J
来自 AiPCBA

APT150GN120J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
PDF文件:APT150GN120J 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
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APT150GN120J 数据手册 (6 页)
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APT150GN120J 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流215 A
封装SOT-227
功耗625000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)9.5nF @25V
额定功率(Max)625 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625000 mW
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APT150GN120J 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT150GN120J 数据手册

APT150GN120J 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.43 MByte
APT150GN120J 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT150GN120J 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
44 页 / 2.7 MByte
APT150GN120J 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte
APT150GN120J 其他参考文件
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.13 MByte

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