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APT200GN60B2G
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APT200GN60B2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:场站IGBT Field Stop IGBT
PDF文件:APT200GN60B2G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
APT200GN60B2G 数据手册 (6 页)
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APT200GN60B2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗682000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)682 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)682000 mW
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APT200GN60B2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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APT200GN60B2G 数据手册

APT200GN60B2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.16 MByte
APT200GN60B2G 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT200GN60B2G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
44 页 / 2.7 MByte
APT200GN60B2G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT200GN60B2 数据手册

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