| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-227-4 |
| 功耗 | 682 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 38.2 mm |
| 宽度 | 25.4 mm |
| 高度 | 9.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Microchip（微芯）
6 页 / 0.46 MByte
Microsemi（美高森美）
功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
Microsemi（美高森美）
功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
Microchip（微芯）
IGBT 模块 FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
