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APT20M38BVRG
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APT20M38BVRG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247
PDF文件:APT20M38BVRG 数据手册 (1 页)
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APT20M38BVRG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流67.0 A
封装TO-247-3
功耗370 W
输入电容6.12 nF
栅电荷225 nC
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)67.0 A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)6120pF @25V(Vds)
额定功率(Max)370 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)370W (Tc)
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APT20M38BVRG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT20M38BVRG 数据手册

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Microsemi（美高森美）
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APT20M38 数据手册

APT20M38BVRG 数据手册
Microsemi（美高森美）
APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247
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