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APT25M100J
来自 AiPCBA

APT25M100J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT25M100J 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
典型应用电路图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
APT25M100J 数据手册 (4 页)
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APT25M100J 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流25.0 A
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗545 W
输入电容9.84 nF
栅电荷305 nC
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)25.0 A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)9835pF @25V(Vds)
下降时间38 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)545W (Tc)
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APT25M100J 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT25M100J 数据手册

APT25M100J 数据手册
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.2 MByte
APT25M100J 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.2 MByte
APT25M100J 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT25M100 数据手册

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