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APT28M120L
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APT28M120L 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT28M120L 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APT28M120L 数据手册 (6 页)
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APT28M120L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流28.0 A
封装TO-264-3
极性N-CH
功耗1135W (Tc)
输入电容9.67 nF
栅电荷300 nC
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)28.0 A
上升时间31 ns
输入电容值(Ciss)9670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1135 W
下降时间48 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1135W (Tc)
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APT28M120L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT28M120L 数据手册

APT28M120L 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.21 MByte
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